12月1日，据报道，意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。“向8英寸SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们加速了向系统和产品电气化的过渡